Microscopio elettronico SEM SU9600

STEMFE-SEMelettronico a scansione

Panoramica
Il SU9600 è un microscopio elettronico a scansione modulare ottimizzato per la trasmissione, progettato per l'analisi avanzata di nanomateriali, materiali 2D e semiconduttori. Integra UHR-SEM e funzionalità STEM analitiche su una piattaforma ad alta stabilità, con 4D-STEM, EELS e nano-EDS opzionali per studi multimodali.

Slogan
Il SEM ottimizzato per la trasmissione per l'analisi avanzata dei nanomateriali

Punti chiave

• Combina funzioni STEM analitiche e UHR-SEM su un'unica piattaforma stabile
• Imaging ultra-alta risoluzione da 10 V a 30 kV per studi di superficie e struttura
• Cannone a emissione di campo freddo (CFE), lente obiettivo in immersione totale e stadio tipo TEM che consentono risoluzione di primo livello (0,34 nm garantito, ~0,2 nm ottenibile)

Capacità e vantaggi

• Rilevazione di elettroni riflessi e trasmessi con filtraggio energetico e angolare
• Correlare informazioni di superficie (SE/BSE) con informazioni da elettroni trasmessi (BF/ADF/EELS/4D-STEM)
• Analisi elementare sub-nm con EDS senza finestra ad alto angolo solido
• EELS e 4D-STEM permettono di studiare struttura elettronica, legami e strain; il CFE migliora la risoluzione energetica per EELS
• Opzionale: camera 4D-STEM a rivelazione diretta con lente proiettore per DPC, ptychography, mappatura di strain e fase
• Ambiente campione flessibile: porte-campione criogenici, porte MEMS, porta-decellerazione e porte doppio-tilt TEM (opzioni)

Applicazioni

• Nanomateriali: mappatura elementare su scala nanometrica, imaging di reticoli e grani, distribuzione elementare in nanofili
• Film sottili: morfologia superficiale, struttura dei grani e analisi di orientamento in sezione
• Analisi elementare: mappatura EDS ad alta risoluzione ed EELS a bassa tensione per stato di ossidazione e struttura elettronica
• Semiconduttori: imaging ad alta risoluzione e analisi tramite elettroni trasmessi per analisi di dispositivi e failure analysis

Note

• Le funzionalità contrassegnate con * sono opzionali (4D-STEM, EELS, nano-EDS, porte-campione).
• I modi avanzati (es. porta-decellerazione / rivelatore superiore) sono opzionali e possono influire sulle prestazioni della tensione di atterraggio.

Specifiche / dati tecnici

• Risoluzione immagine SE: 0,4 nm @ 30 kV; 1,0 nm @ 1 kV; 0,6 nm @ tensione di atterraggio di 1 kV (*1)
• Risoluzione immagine STEM: 0,34 nm @ 30 kV (immagine di reticolo) (*2)
• Tensione di accelerazione: 0,5 a 30 kV
• Tensione di atterraggio (*1): 0,01 a 20 kV
• Spostamento elettrico dell'immagine: fino a ±5 µm (Altezza campione = 0,0 mm)
• Corsa stadio: X: ±4,0 mm; Y: ±2,0 mm; Z: ±0,3 mm; T (tilt): ±40°
• Dimensione campione - Piattaforma piana (Max.): 5,0 mm × 9,5 mm × 3,5 mm (H)
• Dimensione campione - Piattaforma sezione trasversale (Max.): 2,0 mm × 6,5 mm × 5,0 mm (H)
• Sorgente di elettroni: emissione di campo freddo (alta brillantezza, bassa aberrazione cromatica) con opzione NEG per migliorare le prestazioni EELS
• Rivelatori & analisi: rilevazione di elettroni riflessi e trasmessi, filtraggio energia/angolo, EDS senza finestra ad alto angolo solido, EELS, 4D-STEM (opzionale), camera 4D-STEM a rivelazione diretta (opzionale)
• Note: *1 Con porta-campione di decelerazione e rivelatore superiore opzionali. *2 Opzione.