Sistema di produzione magnetico PlasmaPro 100 Polaris

Il sistema di incisione ICP RIE per singolo wafer PlasmaPro 100 Polaris offre soluzioni intelligenti per produrre i superbi risultati di incisione di cui avete bisogno per mantenere il vostro vantaggio competitivo. Con una vasta esperienza nell'incisione di materiali come GaN, SiC e Zaffiro, le nostre tecnologie consentono di ottenere i costi di gestione e la resa necessari per massimizzare le prestazioni dei vostri dispositivi. Tassi di incisione eccellenti Basso costo di proprietà Progettato specificamente per prodotti chimici aggressivi Eccellente uniformità di incisione Esclusiva tecnologia di serraggio elettrostatico in grado di bloccare lo zaffiro, GaN su zaffiro e silicio Sistema di pompaggio ad alta conduttanza Clusterizzabile con altri sistemi PlasmaPro Caratteristiche Il sistema di incisione su singolo wafer PlasmaPro 100 Polaris offre soluzioni intelligenti per produrre i risultati di incisione necessari per mantenere il proprio vantaggio competitivo. Progettato specificamente per i prodotti chimici aggressivi richiesti per l'incisione di materiali difficili come GaN, Zaffiro e SiC, il PlasmaPro 100 Polaris garantisce velocità di incisione uniformi su wafer fino a 200 mm di diametro. Elettrodo raffreddato attivamente - Mantiene la temperatura del campione durante il processo di incisione Sorgente ICP ad alta potenza - Produce plasmi ad alta densità Hardware affidabile e facilità di manutenzione - Ottimi tempi di attività Distanziatore magnetico - Maggiore controllo e uniformità degli ioni Esclusiva tecnologia di serraggio elettrostatico - Capacità di serraggio di zaffiro, GaN su zaffiro e silicio Rivestimenti della camera riscaldati - Ottimizzati per ridurre la deposizione sulle pareti della camera Unità di accoppiamento automatico avanzata (AMU) - Permette un accoppiamento rapido, efficiente e preciso, consentendo un'eccellente ripetibilità del processo Applicazioni Dispositivo RF incisione di fori in SiC Dispositivo a semiconduttore di potenza Incisione di caratteristiche SiC Incisione GaN HBLED Dispositivo RF incisione GaN