Sistema di produzione PlasmaPro 100 PECVD

Il sistema PECVD PlasmaPro 100 è specificamente progettato per produrre film di alta qualità con un'eccellente uniformità e controllo delle proprietà del film, come l'indice di rifrazione, lo stress, le caratteristiche elettriche e la velocità di incisione chimica a umido. Il nostro sistema Plasma Enhanced CVD è adatto per la passivazione di film dielettrici (ad es. SiO2, SixNy), carburo di silicio, silicio amorfo, deposizione di maschere dure e rivestimenti antiriflesso. Film di alta qualità, elevata produttività, eccellente uniformità Deposizione al plasma ad alta densità e a bassa pressione Eccellente controllo dell'indice di rifrazione e delle sollecitazioni Compatibile con wafer di dimensioni fino a 200 mm Cambio rapido tra le dimensioni dei wafer Basso costo di gestione e facilità di manutenzione Elettrodi a riscaldamento resistivo con capacità da 400°C a 1200°C Pulizia della camera in situ e puntatura finale Panoramica PlasmaPro 100 PECVD offre un'eccellente deposizione conforme e una bassa generazione di particelle grazie all'uniformità della temperatura dell'elettrodo e al design del soffione nell'elettrodo, che consente all'energia RF di produrre il plasma. Le specie reattive ad alta energia del plasma offrono tassi di deposizione elevati per ottenere lo spessore desiderato del substrato mantenendo una bassa pressione. La potenza a doppia frequenza di 13,56MHz e 100KHz applicata all'elettrodo superiore consente il controllo delle sollecitazioni e la densificazione del film. Caratteristiche Fornisce specie reattive al substrato, con un percorso uniforme ad alta conduttanza attraverso la camera che consente di utilizzare un flusso di gas elevato mantenendo una bassa pressione Il soffione alimentato a radiofrequenza con erogazione ottimizzata del gas fornisce una lavorazione al plasma uniforme con commutazione LF/RF che consente un controllo preciso dello stress del film L'elevata capacità di pompaggio offre un'ampia finestra di pressione di processo