Sistema di produzione PlasmaPro 100 Estrelas

La piattaforma PlasmaPro 100 Estrelas è stata progettata per offrire una flessibilità totale per le applicazioni di Deep Reactive Ion Etching (DRIE), per soddisfare una serie di requisiti di processo diversi nei mercati dei microsistemi elettromeccanici (MEMS), del packaging avanzato e delle nanotecnologie. Sviluppato per la ricerca e la produzione in serie, il PlasmaPro 100 Estrelas offre la massima flessibilità con i processi Bosch e criogenici. Alta velocità di incisione e alta selettività con il processo Bosch Processi a parete liscia e ad alto rapporto d'aspetto Profilo altamente anisotropo (verticale) Bassa velocità e bassa potenza per l'incisione del nano-silicio e il controllo del notch (SOI) Incisioni via via più affusolate Ampia gamma di applicazioni Bloccaggio meccanico o elettrostatico (compatibilità con i substrati) Migliore riproducibilità Aumento del tempo medio tra le pulizie (MTBC) Panoramica La tecnica DSiE o Deep Reactive Ion Etching (DRIE) combina ripetutamente le fasi di incisione e passivazione isotropica del silicio per ottenere profili anisotropici. Grazie alla sorgente di plasma ad alta densità e alla capacità di commutazione rapida del gas, questa tecnica consente di ottenere la verticalità del profilo, pareti laterali lisce e alte velocità di incisione con un'elevata selettività per i materiali di mascheratura. Dai processi a pareti laterali lisce alle incisioni di cavità ad alta velocità, dai processi ad alto rapporto d'aspetto alle incisioni di vie coniche, il PlasmaPro 100 Estrelas è stato progettato per garantire la realizzazione di un'ampia gamma di applicazioni nei settori dei MEMS, del packaging avanzato e delle nanotecnologie senza la necessità di cambiare l'hardware della camera. È possibile realizzare nano e microstrutture, poiché l'hardware è stato progettato in modo da poter utilizzare le tecnologie di incisione Bosch™ e Cryo nella stessa camera.