Microscopio FIB-SEM NX2000

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I sistemi FIB-SEM sono diventati uno strumento indispensabile per la caratterizzazione e l'analisi delle tecnologie più recenti e dei materiali ad alte prestazioni su scala nanometrica. La richiesta sempre crescente di lamelle TEM ultrasottili senza artefatti durante l'elaborazione FIB richiede le migliori tecnologie di ottica ionica ed elettronica. Il sistema FIB ad alte prestazioni e il sistema SEM ad alta risoluzione NX2000 di Hitachi, grazie all'esclusivo controllo dell'orientamento del campione* e alle tecnologie a triplo fascio*, supportano la preparazione di campioni TEM ad alta produttività e qualità per applicazioni all'avanguardia. * Opzione Caratteristiche Il rilevamento del punto finale del SEM ad alto contrasto e in tempo reale consente la preparazione di campioni TEM ultrasottili di dispositivi di dimensioni inferiori a 20 nm. Il microcampionamento* e il meccanismo di posizionamento ad alta precisione* consentono di controllare l'orientamento del campione per gli effetti anti-curvatura (funzione ACE) e le lamelle di spessore uniforme. Sistema a triplo fascio* Configurazione a triplo fascio per la riduzione dei danni indotti da Ga FIB. Specifiche tecniche Colonna FIB Tensione di accelerazione - 0,5 kV - 30 kV Corrente del fascio - 0,05 pA - 100 nA Colonna FE-SEM Tensione di accelerazione - 0,5 kV - 30 kV Sorgente di elettroni - Sorgente di emissione di campo a catodo freddo Rivelatore Rivelatore standard - SED e BSED superiore/inferiore Stadio - X: 0 - 205 mm Y: 0 - 205 mm Z: 0 - 10 mm R: 0 - 360° infinito T: -5 - 60° Accessori speciali (opzionali) Colonna Ar/Xe 3a colonna Sistema di microcampionamento Sistema di iniezione multigas Sistema a doppia inclinazione Funzione swing (per la terza colonna di ioni Ar/Xe) Procedura guidata di preparazione del campione TEM Software di preparazione automatica dei campioni TEM Software di navigazione CAD Software di collegamento con strumenti di ispezione dei difetti