Sistema di produzione PlasmaPro 100

I moduli PlasmaPro 100 RIE consentono l'incisione a secco isotropa e anisotropa per un'ampia gamma di processi. È adatto alla ricerca e alla produzione e offre un ambiente controllato che migliora la ripetibilità del processo grazie alle opzioni load-lock e cassette-to-cassette. Compatibile con tutti i wafer di dimensioni fino a 200 mm Elaborazione a singolo wafer o in batch con un eccellente controllo del processo Elevato controllo dei gas e della potenza del plasma Cambio rapido tra le dimensioni dei wafer Basso costo di proprietà e facilità di manutenzione Eccellente uniformità, elevata produttività e processi di alta precisione Pulizia della camera in situ e puntamento finale Elettrodo ad ampio intervallo di temperatura, da -150°C a 400°C Panoramica Il Reactive Ion Etch (RIE) è un processo di incisione prevalentemente fisico. Un plasma ricco viene creato appena sopra il wafer e gli ioni vengono accelerati verso la superficie per produrre un'incisione potente e altamente anisotropa. Il gas entra nella parte superiore della camera dove viene convertito in un plasma reattivo a bassa pressione da una sorgente RF a livello del wafer. Gli ioni interagiscono con il campione per formare i sottoprodotti dell'incisione, oppure rimangono come specie non reagite. Tutte le specie e i sottoprodotti non reagiti vengono rimossi dalla camera dalla pompa del vuoto per mantenere un plasma ricco e attivo, in modo da mantenere elevate velocità di incisione. Il PlasmaPro 100 RIE fornisce specie reattive al substrato, con un percorso uniforme ad alta conduttanza attraverso la camera, che consente di utilizzare un flusso di gas elevato mantenendo una bassa pressione. - Caratteristiche Elettrodo ad ampio intervallo di temperatura (da -150°C a +400°C) che può essere raffreddato da azoto liquido, da un refrigeratore a ricircolo di fluido o riscaldato resistivamente.