Sistema di produzione PlasmaPro 100 ICPCVD

Questo modulo di processo ICPCVD è progettato per produrre film di alta qualità a basse temperature di crescita, grazie a plasmi remoti ad alta densità che consentono di ottenere film di qualità superiore con un basso danno al substrato. Eccellente uniformità, elevata produttività e processi di alta precisione Film di alta qualità Elettrodo ad ampio intervallo di temperatura Compatibile con tutti i formati di wafer fino a 200 mm Cambio rapido tra le dimensioni dei wafer Basso costo di gestione e facilità di manutenzione Ingombro ridotto, layout flessibile Elettrodi a riscaldamento resistivo con capacità fino a 400°C o 1200°C Pulizia della camera in situ e puntamento finale Modulo flessibile di erogazione del vapore che consente la deposizione di film con precursori liquidi, ad esempio TiO2 con TTIP, SiO2 con TEOS Applicazioni Film di qualità eccellente a basso danno a temperature ridotte. I materiali tipici depositati includono SiO2, Si3N4 e SiON, Si e SiC a temperature del substrato fino a 5ºC Dimensioni della sorgente ICP di 65 mm, 180 mm e 300 mm per garantire l'uniformità del processo fino a wafer di 200 mm Elettrodi disponibili per intervalli di temperatura da 5ºC a 400ºC Tecnologia brevettata di distribuzione del gas ICPCVD Pulizia della camera in situ con terminazione Modulo flessibile di erogazione del vapore che consente la deposizione di film con precursori liquidi, ad esempio TiO2 con TTIP, SiO2 con TEOS Il riscaldamento delle pareti riduce la deposizione sulle pareti della camera Il raffreddamento posteriore con elio e il bloccaggio meccanico garantiscono temperature uniformi dei wafer e proprietà ottimali dei film Assistenza clienti globale Oxford Instruments si impegna a fornire un'assistenza clienti globale completa, flessibile e affidabile. Offriamo un servizio di qualità eccellente per tutta la durata del sistema.